瑞萨电子开发出首款40nm工艺嵌入式闪存技术

2012/1/7 |  1904次阅读 |  来源:  关键词:

全球领先的高级半导体和解决方案的供应商瑞萨电子株式会社宣布开发出业界首款适用于汽车实时应用领域的40nm工艺嵌入式闪存技术。瑞萨电子也将是首先使用上述40nm工艺闪存技术,针对汽车应用领域推出40nm嵌入式闪存微控制器(MCU)的厂商,采用该技术的首款产品预计将于2012年秋季开始供应。

       瑞萨电子在开发具有高质量及高可靠性的闪存MONOS(金属氮氧硅)技术方面,拥有丰富的经验且广受好评。在2007年,瑞萨电子便成为第一家推出90nm汽车用闪存MCU产品的厂商。

       瑞萨电子闪存MONOS技术为可扩充的技术,不仅可靠性高且具备高效能。40nm闪存测试组件的评估结果,已证明其在三个重要的参数(数据保存、程序/擦写周期耐受性及程序设计时间)方面,均能成功做到优异的特性表现。40nm制程节点可整合多种与安全相关的功能性与通讯接口。

       瑞萨电子40nm闪存IP保证数据可保存20年,并可在最高170℃结合温度下进行读取。此外,程序代码闪存支持120 MHz读取速度,而数据闪存即使在125,000次程序/擦写周期后,仍可达到业界领先的20年超长数据保存时间。

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